天竺葵的栽培技术

品种：Marerick，Orbit，Multibloom，Elite，OrangeApeal系列

发芽期

----准备阶段

所有天竺葵品种都可在同一条件下种植。(发芽）

PH值：6．2-6．5PH值低于6.0可导致芽尖脱落和钠、铁、镁（13-2-13-6Ca-3Mg）不能被吸收现象

第1阶段

1-2天内出现胚根。

外观特征：第1阶段来，根长0．64-1．27厘米，出现于叶。

湿度：浸透的基质对天竺葵吸收水份很重要。在种于上覆盖一层蛭石来保持湿度，基质表面应经常保持湿润。

基质温度：23℃，高于25℃，可影响正常发芽，低于22℃会降低发芽率，影响发芽的整齐度。

基质EC：0.75-1.0。高的EC值会抑制生根。

光照：光对发芽无重大影响。

第2阶段

当根长度为0．64-1．27厘米时，天竺葵需大量氧气。让基质保持可以增加氧气获取量和促进生根过程。

外观特征：第2阶段来，根长1．27-2．54厘米，第一片真叶开始生长。如果须根不多，减少水份，降低温度至18℃。提高含钙量。

湿度：让基质干燥一点，使颜色从黑色到淡褐色。

基质温度：21°-24℃

化肥：轮流施用50-75ppm的钙肥（13-2-13-6Ca-3Mg)和销酸钾（15-5-15)。磷肥不应超过5-7pm，天竺葵对氨敏感，氨肥不应超过10ppm，否则将会导致叶片的增长。

EC值：1．0-1．5

光照：为提早花期，应给予16-8小时3500-4500lux的额外光照。对Multibloom系列无此必要。

----第3阶段

注意：幼苗芽的生长，高氨肥和湿度会导致徒长。

外观特征：第3阶段末，根长3．81-5．08厘米，幼苗长2．54厘米，出现2片真叶。

水份：每天使基质干湿一次，增强获得氧气的能力。饱和超过36小时可降低幼苗的活性，不应让幼苗过干。

基质温度：65°-70°F（18℃-21℃）。

化肥：见第2阶段，如果徒长，停止施用氨肥，减少化肥的施用次数。

EC值：1．5-2.0

光照：增加为4500-6000lux的光照，但不超过35，000lux。

第4阶段

植株的生长协调是受光照，温度、浇水的控制。

外观特征：第4阶段末，根系能稳固地支持植株。

水份：见第3阶段

基质温度：62°F-65°F（16℃-8℃）。

化肥：见第3阶段，如果植株细弱，加施钙肥，来协调苗株的生长。

基质EC：见第3阶段

光照：如果自然光照弱，可提供额外光照。

空气：在高光照情况下，可施用1000ppm的二氧化碳，来提早花期。

生长调节：当出现3-5片真叶后，施用750ppm的Cyco-ce1。

生长期

注意：Multibloom系列的种植与其它天竺葵不同。

6-7周后Multibloom吐露花蕾。因此必须保持Mu1tib1o-om的快速生长，不应过度控制水和肥料的供应，否则Multibloom和其它系列别无两样。

基质：选择排气性好的基质，10-20％的渗透性。

基质pH：6．0-6．5，PH值低于5．5可导致钠、铁的锰中毒，低PH值的特征是有黄叶。

水份：对于Multibloom系列在两次浇水之间让基质稍干，其它系列在两次浇水之间稍稍润湿。过度干燥将使根系周围盐浓度提高，从而连续伤根毛。过度干汇：特征是底部叶于从红色变成黄色，根尖坏死。

肥料：施加200ppm氮肥。

EC值：1．5-2．o

温度：夜间60°-65°F（16-18℃），白天70°-75F（21℃-24℃）。出现花蕾后夜间温度的控制可调节开花时间。

额外光照：移植2-3周后进行光照，光照14-18小时；光照量为300-500footcandles（3000-5000l1ux）可提早开花期。大竺葵对光照敏感，光照越多开花越早且生长越快。

生长调节：出现3-5片真叶后，施用4-5次750ppm的cycocel可控制生长。注意：在花蕾出现后，不要施加cycoce1，后期施加ycocel可导致花型过分或造型不佳。

常见虫害：Thrips